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前沿电容器解决方案
» MLCC - GA****D***31M / 34G 汽车级射频 2.0
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简介
陶瓷电容
铝电容
钽电容
MLCC
薄膜电容
ESTA 电力电容器
被动电子大学
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简介
陶瓷电容
440LS10-R, 440LS20-R 2.0
SMDY1
AY1
VY1...C
HVCC 2.0
K...H
铝电容
MAL223551024E3, MAL222551024E3 2.0
235 EDLC-HVR
MAL2170 2.0
钽电容
EP2 2.0
T24
T34
M39006/33
T50 2.0
T52 2.0
T97 2.0
TM8 2.0
MLCC
GA****D***31M / 34G 2.0
VJ***X1, VJ***X1A, VJ***X2, VJ***X2A 2.0
VJ HIFREQ HT Series
VJ...32
薄膜电容
MKP1848Se 2.0
MKP385e 2.0
F340X1
ESTA 电力电容器
ESTAspring
被动电子大学
汽车级射频 MLCC
GA****D***31M / 34G
2.0
贴片安规电容器
VJ***X1, VJ***X1A,
VJ***X2, VJ***X2A
2.0
射频MLCC
VJ HIFREQ HT
含铅涂层
VJ...32
GA****D***31M / 34G: AECQ-200 汽车级射频 MLCC
s
2.0
Vishay 的 GA...31M 和 GA...34G 系列高频、通过 AEC-Q200 认证的 MLCC 采用高可靠性贵金属电极 (NME) 系统,采用湿法工艺,可为汽车应用提供出色的电气性能。
应用
特性
用于自动驾驶的 ADAS / V2X
高频和通过 AEC-Q200 认证
外壳包括 EIA 和 QUAD 尺寸
工作温度: -55 °C 至 +150 °C
信息图表
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其它资源
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